BMW i 벤처스, GaN 시스템즈에 전략적 투자 발표
글로벌 판매망 확대 및 신제품 개발 가속화
2017-07-25 온라인기사  / 편집부

질화갈륨(GaN) 파워 트랜지스터의 세계적인 공급업체인 GaN 시스템즈(GaN Systems)는 최근 BMW의 투자 부문인 BMW i 벤처스가 이끄는 투자 펀딩이 성공적으로  이루어졌음을 공식 발표했다.
GaN 시스템즈의 제품이 전력 시스템의 효율성을 극대화하는 동시에 크기, 무게, 전반적인 시스템 비용을 획기적으로 줄일 수 있다는 점이 BMW i 벤처스의 투자전략과 잘 일치했다고 볼 수 있다.  

이번 투자를 계기로, GaN 시스템즈는 글로벌 판매를 확대하고 신제품 개발을 가속화할 수 있을 것으로 기대하고 있다. GaN 시스템즈의 파워 트랜지스터는 기존의 전력전자 시스템에서 요구하는 사항들을 엔지니어가 구현할 수 있도록 새로운 가능성을 제시해 왔다. 


GaN 기반의 트랜지스터는 시스템의 소형화 측면에서 다음 단계로 진일보하는데 필요한 첫 디딤돌 역할을 한다고 할 수 있다. GaN 트랜지스터의 활용을 통해 기존 실리콘 기반 시스템과 비교해 효율 향상은 물론 시스템 크기를 ¼ 까지 줄여, 전력을 필요로 하는 다양한 모든 시스템들이 소형화, 초경량화, 고효율을 갖도록 할 수 있다. BMW i 벤처스의 우베 히겐(Uwe Higgen) 전무이사는 이러한 기술의 역량은 자동차 산업에 매우 중요하다고 강조했다.


GaN 시스템즈의 짐 위텀(Jim Witham) CEO는 이번 투자와 관련해 "그동안 컴퓨터/충전기 및 데이터센터 서버에서부터 공장 모터 및 전기자동차 분야까지 다양한 GaN 시스템즈의 고객들이 소형이면서도 고효율인 저비용 전력전자 장치에서의 GaN 가치 제안을 이미 검증했으며,이러한 이점은 모든 업계를 아우르는 글로벌 대기업에서도 널리 인정받고 있다."고 말했다. 

 

히겐 전무이사는 "GaN이 전력 시스템에 어떠한 이점을 가져올 수 있는 지에 관련해 다수의 사례가 있다."면서,  자율주행 차량이 보편화 된다면, 데이터센터 인프라를 대규모로 확장해야 할 필요가 있다. 가장 큰 비용 발생원 중 하나인 데이터센터 전력소비를  전력 변환 효율 향상을 통해 수십억 달러의 비용절감과 아울러 전 세계적으로도 지속 가능한 인프라 구축을 가능하게 할 것"이라고 강조했다.



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