드라이버 소스 단자를 구비한,
낮은 인덕턴스의 표면 실장 패키지 채용
SiC MOSFET (7pin SiC MOSFET)

SiC MOSFET은 매우 빠른 스위칭 속도를 실현하여 파워 일렉트로닉스 분야의 전력 변환 시 에너지 손실을 대폭 삭감할 수 있다고 널리 알려져 있다. 그러나 기존의 파워 디바이스 패키지에는 제한이 있어 SiC 디바이스의 잠재 능력을 최대한으로 발휘시킬 수 없었다.
본 기고에서는 먼저 패키지에 의한 제한에 대해 설명하고 적절한 패키지를 채용함으로써 얻을 수 있는 메리트에 대해 소개하고자 한다. 그리고 토템 폴 (Totem pole) 토폴로지를 사용한 3.7kW 단상 PFC에서 패키지 레벨의 개선 효과에 대해 설명하고자 한다.

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