로옴, 업계 최고 수준 trr 실현한 트렌치 구조 SBD 양산

로옴(ROHM) 주식회사는 업계 최고 속도인 15ns 역회복 시간(trr)을 실현한 트렌치 MOS (Trench MOS) 구조의 100V 내압 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky Barrier Diode, SBD) 'YQ시리즈'를 12월부터 양산한다고 밝혔다.

트렌치 MOS 구조의 SBD는 플래너(Planar) 구조의 SBD에 비해 순방향 전압(V_F)이 낮아지기 때문에 정류 용도 등에서 고효율을 실현할 수 있다. 반면에 일반적인 트렌치 MOS 구조의 경우, trr은 플래너 구조보다 악화되기 때문에 스위칭 용도로 사용할 때 전력 손실이 커지는 문제가 있다. 로옴은 이러한 문제를 해결하기 위해 독자적인 트렌치 MOS 구조를 채용함으로써 트레이드오프 관계인 V_F와 역방향 전류(I_R)를 동시에 저감했다. 
 
트렌치 MOS 구조를 채용한 YQ 시리즈는 동일 구조의 일반품 대비 trr 자체 손실을 약 37％, 스위칭 손실 전체를 약 26％ 줄여 애플리케이션의 저전력화에 기여한다. 또한, 순방향 인가 시 손실되는 V_F와 역방향 인가 시 손실되는 I_R을 모두 플래너 구조의 기존 SBD에 비해 개선했다. 이에 따라, 정류 용도 등의 순방향으로 사용할 때의 전력 손실과 SBD에서 가장 우려되는 열폭주 위험을 줄여준다. 이러한 특징으로 인해 발열이 발생하기 쉬운 차량용 LED 헤드램프의 구동 회로와 xEV용 DC-DC 컨버터 등 고속 스위칭 애플리케이션에 적합하다. 
 
12월부터 전 제품 양산되고 있는 YQ 시리즈는 CoreStaff, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트에서 샘플을 구입할 수 있다.

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AEM_Automotive Electronics Magazine