인피니언, 자동차 솔루션용 CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군 출시

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 차량용 전력 애플리케이션에서 더 높은 효율과 전력 밀도 요구를 지원하기 위해 750V G1 디스크리트 CoolSiC™ MOSFET을 출시한다고 14일 밝혔다.

이 MOSFET은 토템폴 PFC, T-타입, LLC/CLLC, DAB(듀얼 능동 브리지), HERIC, 벅/부스트, PSFB(위상 편이 풀 브리지) 토폴로지에 최적화된 차량용 및 산업용 등급의 SiC MOSFET으로 구성된다. 이 제품군은 전기차 충전, 산업용 드라이브, 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS), 솔리드 스테이트 회로 차단기, UPS 시스템, 서버/데이터센터, 텔레콤 등의 산업용 애플리케이션과 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다.

CoolSiC MOSFET 750V G1 기술은 뛰어난 R_DS(on) x Q_fr 및 R_DS(on) x Q_oss 성능 지수(Figure of Merit, FOM)를 특징으로 하며, 각각 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에서 높은 효율을 달성한다. 높은 임계 전압(V_GS(th), 4.3V 정격)과 낮은 Q_GD/Q_GS 비율의 고유한 조합은 기생 턴온에 대한 견고성을 높이고 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 한다. 이는 시스템의 전력 밀도를 높이고 비용을 낮춘다. 모든 디바이스는 인피니언 고유의 다이 접착 기술을 사용하여 동일한 다이 크기로 뛰어난 열 임피던스를 제공한다. 신뢰성 높은 게이트 산화막 설계에 인피니언의 품질 표준이 결합되어 견고하고 장기적인 성능을 제공한다.

CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군은 25 ℃에서 R_DS(on)이 8 mΩ~140 mΩ에 이르는 포트폴리오로 다양한 요구를 충족하며, 설계는 전도 손실과 스위칭 손실을 줄여 전반적인 시스템 효율을 높인다. 패키지는 열 저항을 최소화하고 열 소산을 향상시키며, 회로 내 전력 루프 인덕턴스를 최적화하여 높은 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용을 낮춘다. 이 제품군은 첨단 QDPAK 상단면 냉각 패키지로 제공된다.

CoolSiC MOSFET 750V G1은 차량용으로는 QDPAK TSC, D2PAK-7L, TO-247-4 패키지로 제공된다.

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AEM_Automotive Electronics Magazine