ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 자사의 저전압 전력 MOSFET 시리즈인 STripFET™ F7에 새롭게 100V 자동차 등급 디바이스 3종(STH315N10F7-2, STH315N10F7-6,  STP315N10F7)을 추가했다고 밝혔다.

새로운 제품군은 최적화된 바디-드레인 다이오드를 적용해  동작 전압 범위 내에서의 전압 스파이크와 스위칭 잡음을 최소화할 수 있다. STripFET™ F7의 제품들은 향상된 트렌치 게이트 구조를 채택해 온상태 저항을 줄이는 한편, 내부 전기용량과 게이트 전하를 동시에 줄여 더 빠르고 전력 효율성이 우수한 스위칭 기능을 제공한다. ST는 이러한 이점을 통해 최저의 RDS(on) x 면적 값과 턴오프 에너지(Eoff) 파라미터를 제시할 수 있다고 설명했다. 또한 스위칭 잡음을 최소화 시켜주는 최적화된 Crss/Ciss 정전용량 비율을 갖췄으며 적절한 다이오드의 역회복 소프트(reverse-recovery softness)를 사용하면서 EMI/EMC 방출을 감소시켜 준다. 이로 인해 외부 필터링 회로가 필요 없어 보드 면적과 비용을 절감할 수 있다.

ST의 새로운 파워 MOSFET 제품들은 하이브리드 자동차와 전기자동차의 DC/DC, DC/AC 및 LC 공진형 컨버터들을 비롯해 높은 전류과 전력 밀도, 뛰어난 효율성을 필요로 하는 자동차 애플리케이션용으로 맞춤화돼 있다. 모두 AEC-Q101의 자동차 품질 인증을 획득했다.
STH315N10F7-2 및 STH315N10F7-6는 부유용량(stray inductance)이 낮고 전류 용량은 높은 H2PAK 패키지로 제공되며, STP315N10F7은 표준 TO-220 패키지로 제공된다. 이 제품들은 현재 양산 중이며 STH315N10F7-2와 STH315N10F7-6의 가격은 개당 3.8달러,  STP315N10F7은 1,000개 단위 주문 시 개당 3.5달러이다.
보다 상세한 내용은 다음의 웹페이지에서 확인할 수 있다: www.st.com/stripfetf7