로옴(ROHM)이 xEV(전기차)용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워트레인, AI 서버, 데이터 센터 등의 산업 기기용 전원에 적합한 EcoSiC™ 기반 제5세대 SiC MOSFET을 개발했다.
이 제품은 소자 구조 개선과 제조 공정 최적화를 통해 접합 온도(Tj) 175℃ 환경에서 ON 저항을 기존 4세대 대비 약 30% 낮춘 것이 특징이다. 동일 내압과 칩 사이즈 기준에서 이뤄진 개선으로, 고온 동작이 필수적인 전기차용 트랙션 인버터, 전동 파워트레인 시스템에서 효율 향상과 발열 저감 효과를 동시에 확보했다.
이에 따라 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 운용되는 시스템의 소형화와 고출력화 구현이 가능해졌다. 특히 전력 밀도 증가가 핵심 과제로 떠오른 차량 및 산업용 전력 시스템에서 실질적인 설계 이점을 제공할 것으로 평가된다.
로옴은 2025년부터 베어칩 샘플 제공을 시작했으며, 2026년 3월 개발을 완료했다. 이어 2026년 7월부터는 SiC MOSFET을 적용한 디스크리트 및 모듈 제품의 샘플 공급도 개시할 계획이다. 이와 함께 설계 툴과 지원 체계를 강화해 고객사의 애플리케이션 개발을 지원한다는 방침이다.
제5세대 SiC MOSFET은 전력 효율 개선이 중요한 산업 환경 변화를 반영한 제품이다. 최근 들어 생성형 AI 확산과 대규모 데이터 처리 수요 증가로 고성능 서버 도입이 빠르게 늘어나면서 전력 소비와 열 관리 문제가 주요 이슈로 부상하고 있다. 전력망 부담과 에너지 손실을 줄이기 위한 대안으로 스마트 그리드와 재생에너지 활용이 확대되고 있으나, 에너지 변환 및 저장 과정에서의 손실 최소화가 여전히 과제로 남아 있다.
자동차 분야 역시 상황은 유사하다. 차세대 전기차는 주행거리 확대와 충전 속도 향상과 함께 인버터 및 차량용 충전기(OBC)의 고효율화 요구가 커지고 있다. 수 kW에서 수백 kW급 전력을 다루는 이러한 시스템에서 SiC 디바이스는 저손실과 고효율을 동시에 구현할 수 있는 핵심 기술로 자리 잡고 있다.
로옴은 2010년 SiC MOSFET 양산을 시작한 이후, 자동차 신뢰성 규격인 AEC-Q101을 충족하는 제품군을 확보하며 시장을 견인해 왔다. 2020년부터 공급된 4세대 제품은 글로벌 자동차 및 산업기기 제조사에 채택되며 SiC 확산을 이끌었다.
로옴은 5세대 제품이 업계 최고 수준의 저손실 성능을 바탕으로 SiC 적용 영역을 더욱 확대할 것으로 보고 있다.
AEM(오토모티브일렉트로닉스매거진)
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