로옴 주식회사(이하, 로옴)는 자사가 보유한 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN) 파워 디바이스의 개발 및 제조 기술과, 파트너십을 체결한 TSMC의 공정 기술을 융합해 그룹 내 일관 생산 체제 구축을 결정했다고 26일 밝혔다.
로옴은 TSMC의 GaN 기술 라이선스 공여를 통해 AI 서버 및 전기차(EV) 분야에서 GaN 수요에 대응하여 자사의 공급력을 강화할 계획이다.
GaN 파워 디바이스는 고전압·고주파 특성을 통해 애플리케이션의 고효율화와 소형화를 가능하게 하며, AC 어댑터와 같은 소비가전 제품에 사용된다. 또한 AI 서버용 전원 장치와 EV의 온보드 차저(OBC) 등 고전압 분야에서도 채용이 확대되고 있다.
로옴은 GaN 파워 디바이스 개발에 선제적으로 나서, 2022년 3월에는 로옴 하마마츠에 150V GaN의 양산 체제를 갖추었다. 미들파워 영역에서는 외부 파트너십을 추진하면서 공급 체제를 구축해 왔다. TSMC는 이러한 파트너사 중 하나로, 2023년부터 650V GaN 공정을 도입했으며, 2024년 12월에는 차량용 GaN 관련 파트너십을 체결했다.
이번 기술 융합은 양사 간 파트너십을 진화시킨 것으로, 라이선스 계약 체결을 통해 TSMC의 공정 기술을 로옴 하마마츠 공장에 이전하는 내용을 담고 있다. 로옴은 2027년 내 생산 체제 구축을 목표로, AI 서버 등에서 확대되는 수요에 대응할 계획이다.
기술 이관이 완료되면 차량용 GaN에 관한 파트너십은 발전적으로 종료되지만, 양사는 지속적으로 전원 시스템의 고효율 및 소형화를 위한 협력을 강화해 나갈 계획이다.
AEM(오토모티브일렉트로닉스매거진)
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