로옴(ROHM Semiconductor)은 27일 자사의 3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky Barrier Diode, 이하, SBD)가 무라타 제작소 그룹의 무라타 전력 솔루션(Murata Power Solutions)에 채용됐다고 밝혔다.
로옴의 SiC SBD 'SCS308AH'는 무라타 전력 솔루션의 데이터 센터용 전원 장치 'D1U 시리즈(아래 사진)'에 탑재돼 애플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여한다.
로옴은 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET 양산을 시작했다. 무라타 전력 솔루션에 탑재된 3세대 SiC SBD는 총전하량(Q
C)이 작아 저손실, 고속 스위칭 동작이 가능하다. 또한 2세대 SBD보다 우수한 서지 전류 내성을 실현하고, 순방향 전압(V
F) 특성을 한층 더 저감했다.
로옴은
웹사이트에서 SiC MOSFET 및 SiC SBD, SiC 파워 모듈 등 SiC 파워 디바이스에 대한 개요와 함께, 4세대 SiC MOSFET를 신속하게 평가하고 도입할 수 있도록 각종 지원 콘텐츠를 공개하고 있다.
제4세대 SiC MOSFET 지원 콘텐츠
- 개요 소개 동영상, 제품 동영상
- 애플리케이션 노트(제품 개요 및 평가 정보, 트랙션 인버터, 차량용 충전기, 스위칭 전원)
- 디자인 모델(SPICE 모델, PLECS 모델, 패키지 및 Footprint 등의 3D CAD 데이터)
- 주요 애플리케이션의 시뮬레이션 회로(ROHM Solution Simulator)
- 평가 보드 정보
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