ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 자동차 애플리케이션용 고전압 N-채널 전력 MOSFET 제품군을 새롭게 출시했다고 밝혔다.

이 제품군은 AEC-Q101 인증을 받은 소자로, 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재했으며 ST의 MDmesh™ DM2 초접합(Super-Junction) 기술로 구현됐다. 항복전압 범위는 400~650V 이상이며 D²PAK, TO-220, TO-247 패키지로 제공된다. 

이 중 400V와 500V 소자는 이러한 항복전압에서는 AEC-Q101을 처음으로 인증받은 제품이고, 600V와 650V 디바이스는 경쟁 제품 대비 훨씬 뛰어난 성능을 제공한다고 ST는 밝혔다. 이 디바이스 모두 집적화된 고속 바디 다이오드, 보다 유연한 통신 동작, 백투백(back-to-back) 게이트-소스 제너 프로텍션(zener protection) 기능이 필요한 자동차 애플리케이션에 최적화돼 있다. 풀-브리지(Full-Bridge) 제로전압스위칭 토폴로지에 적합한 제품이다. 

ST의 새로운 전력 MOSFET은 T_rr/Q_rr과 자동차 시장에서의 유연성 측면 모두에서 높은 성능을 제공하고 고전류에서의 턴-오프 에너지(E_off) 성능 또한 뛰어나기 때문에 자동차 전원공급장치의 효율성 개선에도 도움을 준다. 이와 더불어 고속 바디 다이오드의 성능이 뛰어나 EMI 문제를 덜어주고 보다 작은 패시브-필터링(Passive-Filtering) 부품 사용도 가능하다. 



이 제품은 1천개 단위 기준으로 항복전압 및 패키지 타입에 따라 3달러에서 10달러 사이에 공급된다. 더 자세한 내용은 www.st.com/mdmeshdm2에서 확인 할 수 있다.